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NVD5890NL	文件：260.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5890NL	文件：298.6 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·PowerSupplies ·InductiveLoads ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5890NL	文件：100.68 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5890NLT4G	文件：100.68 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PCE-5890	文件：154.04 Kbytes Page：2 Pages	HandheldRefractometerPCE-5890Honey	PCE PCE Instruments.	PCE
SOM-5890	文件：1.81228 Mbytes Page：2 Pages	Intel짰Core??i7/i5/i3/Celeron짰ProcessorCOM-ExpressBasicModule	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
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SZ5890	文件：88.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
UCN5890	文件：150.92 Kbytes Page：8 Pages	BIMOSII8-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVERS Frequentlyappliedinnon-impactprintersystems,theUCN5890A,UCN5890LW,UCN5891A,andUCN5891LWareBiMOSIIserial-input,latchedsource(high-side)drivers.Theoctal,high-currentsmart-powerICsmergean8-bitCMOSshiftregister,associatedCMOSlatches,andCMOScontrollogic(strobeand	ALLEGRO Allegro MicroSystems	ALLEGRO
UCN5890A	文件：150.92 Kbytes Page：8 Pages	BIMOSII8-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVERS Frequentlyappliedinnon-impactprintersystems,theUCN5890A,UCN5890LW,UCN5891A,andUCN5891LWareBiMOSIIserial-input,latchedsource(high-side)drivers.Theoctal,high-currentsmart-powerICsmergean8-bitCMOSshiftregister,associatedCMOSlatches,andCMOScontrollogic(strobeand	ALLEGRO Allegro MicroSystems	ALLEGRO

详细参数

型号：
NVD5890NL
功能描述：
MOSFET 40V T2 DPAK USR GRESHAM F
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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