isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 123A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40 V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 123A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Power Supplies ·Inductive Loads ·Power Motor Control

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ISC

无锡固电

Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，40V，123A，3.7 mΩ，单 N 沟道，DPAK，逻辑电平。

汽车功率 MOSFET。40V，123A，3.7 mΩ，单 N 沟道，DPAK，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。

ONSEMI

安森美半导体