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NVD5890N	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，40V，123A，3.7mΩ，单 N 沟道，DPAK Automotive Power MOSFET. 40V, 123A, 3.7 mOhm, Single N Channel, DPAK. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Low RDS(on)\nMinimizes conduction losses\nHigh current capability\nProvides robust load driving performance\nAEC-Q101 Qualified\nSuitable for use in Automotive systems\n100% Avalanche engergy tested\nSafeguards against voltage overstress failure;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5890NL	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，40V，123A，3.7 mΩ，单 N 沟道，DPAK，逻辑电平。汽车功率 MOSFET。40V，123A，3.7 mΩ，单 N 沟道，DPAK，逻辑电平。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5890NT4G-VF01	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Power MOSFET 40V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3.5
ID Max (A)：
123
PD Max (W)：
107
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
4975
Package Type：
DPAK-3

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