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NVD4815N	文件：260.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 15mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：260.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD4815N	文件：168.01 Kbytes Page：8 Pages	30 V, 35 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK 文件：168.01 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD4815NT4G	文件：122.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：122.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD4815N	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, 35 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NVD4815N
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NVD4815N供应商更新时间2026-1-29 10:20:00

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