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NVD5807NT4G

Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

文件:81.39 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5807NT4G

Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

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ONSEMI

安森美半导体

NTD5807NT4G

Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

文件:138.59 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5865NLT4G

TO-252

VB

NVD5C464NT4G

安森美半导体

上传:深圳市微纪元电子有限公司

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NVD5807NT4G

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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更多NVD5807NT4G供应商 更新时间2026-2-5 11:04:00