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NVF6P02T3G

MOSFET – Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V

Features • Low RDS(on) • Logic Level Gate Drive • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery • Avalanche Energy Specified • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable* • These Devices are Pb−Free

文件:212.98 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVF6P02T3G

Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts

文件:112.66 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

F6P02T3

Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts

文件:142.07 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTF6P02T3

Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts

文件:142.07 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTF6P02T3

Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223

文件:71.12 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NVF6P02T3G

  • 功能描述:

    MOSFET POWER MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
25+
SOT-223
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更多NVF6P02T3G供应商 更新时间2026-2-4 21:09:00