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NTF6P02T3	文件：71.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts P-Channel SOT-223 文件：71.12 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF6P02T3	文件：142.07 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts 文件：142.07 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF6P02T3	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel SOT??23 文件：143.86 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF6P02T3G	文件：212.98 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET – Power, P-Channel, SOT-223 -10 A, -20 V Features • Low RDS(on) • Logic Level Gate Drive • Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery • Avalanche Energy Specified • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable* • These Devices are Pb−Free 文件：212.98 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF6P02T3_06	文件：142.07 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -6.0 Amps, -20 Volts 文件：142.07 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF6P02T3-D	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel SOT??23 文件：143.86 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF6P02T3-D_10	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel SOT??23 文件：143.86 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF6P02T3G	文件：999.68 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 35 V (D-S) MOSFET 文件：999.68 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTF6P02T3G	文件：143.86 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts P?묬hannel SOT??23 文件：143.86 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTF6P02T3G	文件：112.66 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET -10 Amps, -20 Volts 文件：112.66 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTF6P02T3
功能描述：
MOSFET -20V -6A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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