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NVD4809NT4G	文件：122.83 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：122.83 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTD4809NT4G	文件：3.10421 Mbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 30V, ID= 80A RDS(ON) 文件：3.10421 Mbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
NTD4809NT4G	文件：122.83 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：122.83 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD4809NT4G	文件：276.27 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These are Pb--Free Devices Applications • CPU Power Delivery 文件：276.27 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多NVD4809NT4G供应商更新时间2026-2-8 14:14:00