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NTZD3155C	文件：116.63 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package. MOSFET – Small Signal, Complementary with ESD Protection, SOT-563 20 V, 540 mA / -430 mA Features • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance • High Efficiency System Performance • Low Threshold Voltage • ESD Protected Gate • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm • These Devices are Pb−F 文件：116.63 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3155C	文件：91.74 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 文件：91.74 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3155CT1G	文件：116.63 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package. MOSFET – Small Signal, Complementary with ESD Protection, SOT-563 20 V, 540 mA / -430 mA Features • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance • High Efficiency System Performance • Low Threshold Voltage • ESD Protected Gate • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm • These Devices are Pb−F 文件：116.63 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3155CT2G	文件：116.63 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package. MOSFET – Small Signal, Complementary with ESD Protection, SOT-563 20 V, 540 mA / -430 mA Features • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance • High Efficiency System Performance • Low Threshold Voltage • ESD Protected Gate • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm • These Devices are Pb−F 文件：116.63 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3155CT2G	文件：1.81724 Mbytes Page：8 Pages	N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.81724 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTZD3155CT5G	文件：116.63 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package. MOSFET – Small Signal, Complementary with ESD Protection, SOT-563 20 V, 540 mA / -430 mA Features • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance • High Efficiency System Performance • Low Threshold Voltage • ESD Protected Gate • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm • These Devices are Pb−F 文件：116.63 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3155C_14	文件：91.74 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 文件：91.74 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3155CT1G	文件：91.74 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 文件：91.74 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3155CT2G	文件：91.74 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 文件：91.74 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTZD3155CT5G	文件：91.74 Kbytes Page：8 Pages	Small Signal MOSFET 文件：91.74 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±20
VGS Max (V)：
6
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
0.54
PD Max (W)：
0.25
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.5
Ciss Typ (pF)：
N
Package Type：
SOT-563

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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