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NTZD3155CT2G

Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package.

MOSFET – Small Signal, Complementary with ESD Protection, SOT-563 20 V, 540 mA / -430 mA Features • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance • High Efficiency System Performance • Low Threshold Voltage • ESD Protected Gate • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm • These Devices are Pb−F

文件:116.63 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTZD3155CT2G

N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:1.81724 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTZD3155CT2G

Small Signal MOSFET

文件:91.74 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTZD3155CT2G

  • 功能描述:

    MOSFET COMP 540mA 20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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标准
37036
ONSEMI/安森美原装特价NTZD3155CT2G即刻询购立享优惠#长期有货
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更多NTZD3155CT2G供应商 更新时间2026-1-29 14:14:00