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NTZD3155CT2G中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTZD3155CT2G

功能描述

N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件大小

1.81724 Mbytes

页面数量

8

生产厂商

VBSEMI

中文名称

微碧半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-22 18:40:00

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NTZD3155CT2G规格书详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

产品属性

  • 型号:

    NTZD3155CT2G

  • 功能描述:

    MOSFET COMP 540mA 20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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