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NTZD3155CT1G

Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package.

MOSFET – Small Signal, Complementary with ESD Protection, SOT-563 20 V, 540 mA / -430 mA Features • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance • High Efficiency System Performance • Low Threshold Voltage • ESD Protected Gate • Small Footprint 1.6 x 1.6 mm • These Devices are Pb−F

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ONSEMI

安森美半导体

NTZD3155CT1G

Small Signal MOSFET

文件:91.74 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTZD3155CT1G

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
22+
SOT363
80000
原装正品
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ON(安森美)
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SOT-563
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公司只做原装正品,假一赔十
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更多NTZD3155CT1G供应商 更新时间2025-12-3 15:19:00