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NTZD3155C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary Small Signal MOSFET with ESD protection 20V Small Signal MOSFET\nComplementary 20 V, 540 mA / −430 mA,\nwith ESD protection, SOT−563 package. • Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance\n• High Efficiency System Performance\n• Low Threshold Voltage\n• ESD Protected Gate\n• Small Footprint 1.6 x 1.6 mm\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±20
VGS Max (V)：
6
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
0.54
PD Max (W)：
0.25
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
1.5
Ciss Typ (pF)：
N
Package Type：
SOT-563

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTZD3155C供应商更新时间2025-10-13 13:58:00

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