| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP |
111668 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装NA |
37036 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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SOP |
28906 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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ONSC70-6 |
5000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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ON/安森美SOT-563 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
88000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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ONSOT563 |
12000 |
有挂就有正品原装 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ONSOT-563 |
18543 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSOT563 |
563000 |
18+ |
一级代理/全新现货/长期供应! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONSOT563 |
20000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ONSOT563 |
23100 |
2019 |
原装正品钻石品质假一赔十 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT-563 |
11787 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT-563 |
20000 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT-563 |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装正品 现货供应 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
留言
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1600 |
原装正品+13925678267 |
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深圳万励电子科技有限公司2年
深圳万励电子科技有限公司
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ON/安森美BGA |
6000 |
21+/22+ |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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ONSOT23 |
6800 |
22+ |
全新原装公司现货假一罚十 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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ON安森美SOT-563 |
54923 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-363 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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NTZD3154NT1G价格
NTZD3154NT1G价格：￥0.3083品牌：ON
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NTZD3155CT1G资讯
NTZD3155CT2G 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
NTZD3155CT2G
NTZD3155CT1G 只做进口原装正品
原厂很远现货很近坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
NTZD3158PT1G原装现货
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NTZD5110NT1G 原装特价 SOT-563 晶体管（FET） 专业配单
家庭晶体管-FET，MOSFET-阵列制造商ONSemiconductor系列-包装?Digi-Reel®?零件状态*FET类型2个N沟道（双）FET功能逻辑电平门漏源极电压（Vdss）60V电流-连续漏极（Id）（25°C时）294mA不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）1.6欧姆@500mA，10V不同Id时的
NTZD3155CT1G 深圳市艾邦威科技有限公司
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NTZD3155CT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTZD3151P制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters
NTZD3152P制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection, SOT−563
NTZD3152PT1G功能描述:MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3152PT1H制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET SOT563 20V 430MA 900 - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET SOT563 20V 430MA TR 制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PFET SOT563 20V 430MA TR
NTZD3152PT5G功能描述:MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3152PT5H制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection, SOT−563
NTZD3154N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 540 mA, Dual N−Channel
NTZD3154NT1G功能描述:MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3154NT1H制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT563 20V 540MA TR - Tape and Reel
NTZD3154NT2G功能描述:MOSFET NFET 540MA 20V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
