NTZD3158PT1G资料
标准包装 4,000
包装 标准卷带
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 标准
漏源极电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 430mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 900 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 175pF @ 16V
功率 - 最大值 250mW
工作温度 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 SOT-563
