首页>商情资讯>企业新闻

NTZD3155CT2G 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

2024-3-6 15:18:00
  • NTZD3155CT2G

NTZD3155CT2G 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

深圳市宗天技术开发有限公司 公司经销Infineon,IR,FAIRCHILD,ST,FUJI,TOSHIBA,SANYO等国际**品牌,

专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,

主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、

UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-563-6

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 540 mA, 430 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, + 6 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 1.5 nC, 1.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 mW

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 8 ns, 19 ns

正向跨导 - 最小值: 1 S

高度: 0.55 mm

长度: 1.6 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns, 12 ns

系列: NTZD3155C

4000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 16 ns, 35 ns

典型接通延迟时间: 6 ns, 10 ns

宽度: 1.2 mm

单位重量: 3 mg

供应商

  • 企业:

    深圳市宗天技术开发有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    曹小姐

  • 手机:

    19166207802

  • 询价:
  • 电话:

    0755-88601327

  • 传真:

    0755-88601327

  • 地址:

    深圳市福田区福田街道福南社区深南中路3007号国际科技大厦3804