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NTZD5110NT1G

60 V, 310 mA, Dual N?묬hannel with ESD Protection, SOT??63

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTZD5110NT1G

Small Signal MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTZD5110NT1

60V,310mA,DualN?묬hannelwithESDProtection,SOT??63

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    NTZD5110NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
24+
SOT563
48524
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ON/安森美
24+
SOT-563
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22+
SOT-563
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更多NTZD5110NT1G供应商 更新时间2025-5-20 10:01:00