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NTTFS080N10G	文件：203.32 Kbytes Page：7 Pages	Marking：80NG；Package：u8FL；MOSFET - Power, Single N-Channel, 8FL 100 V, 72 m, 16 A Features •WideSOAforLinearModeOperation •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •HighPeakUISCurrentCapabilityforRuggedness •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant TypicalApplications •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G080N10M	文件：1.0175 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG080N10Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
G080N10T	文件：1.04223 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG080N10Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
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GT080N10KA	文件：952.77 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT080N10KAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
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