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NTTFS4930N	文件：124.84 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N?묬hannel, 8FL Notebook Battery Management 文件：124.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4930N	文件：126.58 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：126.58 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4930N_12	文件：126.58 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：126.58 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4930NTAG	文件：124.84 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N?묬hannel, 8FL Notebook Battery Management 文件：124.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4930NTAG	文件：126.58 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：126.58 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4930NTWG	文件：124.84 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N?묬hannel, 8FL Notebook Battery Management 文件：124.84 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4930NTWG	文件：126.58 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：126.58 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTTFS4930N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，23A，23mΩ Power MOSFET 30V 23A 23 mOhm Single N-Channel u8FL • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
23
PD Max (W)：
20.2
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
30
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
23
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
15.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
9.8
Ciss Typ (pF)：
476
Package Type：
WDFN-8/u8FL

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更多NTTFS4930N供应商更新时间2025-10-9 17:26:00

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