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NTTFS3A08P

Power MOSFET .20 V, .14 A, Single P.Channel, 8FL

文件:99.97 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS3A08PTAG

Power MOSFET .20 V, .14 A, Single P.Channel, 8FL

文件:99.97 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS3A08PTWG

Power MOSFET .20 V, .14 A, Single P.Channel, 8FL

文件:99.97 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS3A08PZ

-20 V, -15 A, Single P-Channel, 8FL

文件:127.33 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS3A08PZTAG

-20 V, -15 A, Single P-Channel, 8FL

文件:127.33 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS3A08P

Power MOSFET .20 V, .14 A, Single P.Channel, \u00028FL

ONSEMI

安森美半导体

NTTFS3A08PZ

单 P 沟道,功率 MOSFET,-20V,-15A,6.7mΩ

Power MOSFET, -20 V, -14 A, Single P CH, ESD, 3.3x3.3x0.8 mm, u8FL Package Ultra Low RDS(on)\nMinimize Conduction Losses\nu8FL 3.3 x 3.3 x 0.8 mm Package\nSpace Saving and Excellent ThermalConduction\nESD Protection Level of 5 KV per JESD22A114\nRoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Compliance:

    Pb-freeHalide free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     Single P-Channel Power MOSFET -20V

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    1

  • ID Max (A):

    9

  • PD Max (W):

    2.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    9

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    6.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    14.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    54

  • Ciss Typ (pF):

    5000

  • Package Type:

    WDFN-8 / u8FL

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