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NTTFS4840NTWG	文件：148.61 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 26 A, Single N?묬hannel, 關8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFS4840NTWG	文件：116.74 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PE4840	文件：258.72 Kbytes Page：2 Pages	D-SubReceptacleContactSolderAttachmentForPE-SR405AL,PE-SR405FL,RG405	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PH4840S	文件：228.24 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSintermediatelevelFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusing TrenchMOStechnology. 1.2Features 1.3Applications 1.4Quickreferencedata nLowthermalresistancenSO8equivalentareafootprint nLowthresholdvoltagenLowon-stateresistance	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PH4840S	文件：84.46 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSintermediatelevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
POW-4840	文件：318.2 Kbytes Page：1 Pages	120W48VDCIndustrialPowerSupply,	LVL1 Level One	LVL1
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PT4840	文件：247.7 Kbytes Page：14 Pages	1500VDCIsolation	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
NTTFS4840NTWG
功能描述：
MOSFET NFET U8FL 30V 26A 24mOHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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