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PH4840S	文件：228.24 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features 1.3 Applications 1.4 Quick reference data n Low thermal resistance n SO8 equivalent area footprint n Low threshold voltage n Low on-state resistance 文件：228.24 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PH4840S	文件：84.46 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：84.46 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PH4840S	文件：113.2 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：113.2 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
PH4840S	文件：300 bytes Page：1 Pages	PH4840S - N-channel TrenchMOS intermediate level FET N-channel TrenchMOS intermediate level FET - Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. ·Higher operating power due to low thermal resistance\n·Low conduction losses due to low on-state resistance\n·Suitable for low gate drive sources;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
40
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
4.1
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
94.5
Q_GD [typ] (nC)：
16
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
67
P_tot [max] (W)：
62.5
V_GSth [typ] (V)：
2
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
3660
C_oss [typ] (pF)：
877
Date：
2011-02-25

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更多PH4840S供应商更新时间2025-12-9 16:50:00

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