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G080N10T	文件：1.04223 Mbytes Page：6 Pages	丝印：G080N10；Package：TO-220；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G080N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.04223 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
G080N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N Channel TRENCH MOSFET	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT080N10K	文件：1.06561 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT080N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.06561 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT080N10KA	文件：952.77 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT080N10KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters 文件：952.77 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GT080N10M	文件：1.13043 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT080N10M uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：1.13043 Mbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
TO-220
Type：
N
ESD Diode：
NO
Vds(V)：
100
Vgs(V)：
±20
Id(A)：
140
Pd(W)：
236
Vgs(th)max(V)：
2.5
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
5.8
Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V：
6.4
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
7.5
Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V：
8
Qg(nC)：
192
Qgs(nC)：
49
Qgd(nC)：
23
Ciss(pF)：
13912
Crss(pF)：
363
Technology：
TRENCH

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更多G080N10T供应商更新时间2025-10-5 11:06:00

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