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G080N10T中文资料100V N Channel TRENCH MOSFET数据手册GOFORD规格书

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厂商型号

G080N10T

功能描述

100V N Channel TRENCH MOSFET

制造商

GOFORD GOFORD SEMICONDUCTOR

中文名称

谷峰半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-8 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :G080N10T

  • 生产厂家

    :GOFORD

  • Package

    :TO-220

  • Type

    :N

  • ESD Diode

    :NO

  • Vds(V)

    :100

  • Vgs(V)

    :±20

  • Id(A)

    :140

  • Pd(W)

    :236

  • Vgs(th)max(V)

    :2.5

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V

    :5.8

  • Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=4.5V

    :6.4

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V

    :7.5

  • Rds(on)mΩ(max)@Vgs=4.5V

    :8

  • Qg(nC)

    :192

  • Qgs(nC)

    :49

  • Qgd(nC)

    :23

  • Ciss(pF)

    :13912

  • Crss(pF)

    :363

  • Technology

    :TRENCH

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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