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NTP5863N

N-Channel Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTP5863NG

N-Channel Power MOSFET

文件:110.09 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTP5863N

Power MOSFET 60V 97A 7.8 mOhm Single N-Channel TO-220

Power MOSFET 60 V, 97 A, 7.8 mOhms, TO-220 • Low RDS(on)\n• High Current Capability\n• 100% Avalanche Tested\n• These devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

NVD5863NL

Single N?묬hannel Power MOSFET

文件:138.5 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5863NL

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60 V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

PJQ5863A-AU

60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ● RDS(ON), VGS@-10V, ID@-7.5A

文件:409.11 Kbytes 页数:6 Pages

PANJIT

強茂

详细参数

  • 型号:

    NTP5863N

  • 功能描述:

    MOSFET NFET TO220 60V 76A 8MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTP5863N供应商 更新时间2025-10-4 8:01:00