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NTD5862N	文件：86.99 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NVD5862N	文件：260.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=98A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD5862N	文件：112.61 Kbytes Page：6 Pages	60V,5.7m,98A,SingleN-Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PCM5862E	文件：597.96 Kbytes Page：108 Pages	Allinonemulti-mediaPentiumprocessor-basedsingleboardcomputer	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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PCM-5862EL	文件：597.96 Kbytes Page：108 Pages	Allinonemulti-mediaPentiumprocessor-basedsingleboardcomputer	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
USB-5862-AE	文件：623.75 Kbytes Page：1 Pages	32-chIsolatedDigitalInput&16-chPhotoMOSRelayUSB3.0I/Omodule	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH

详细参数

型号：
NTP5862NG
功能描述：
MOSFET 60V T2 TO220
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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