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NVD5862N	文件：260.69 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 98A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60 V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：260.69 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD5862N	文件：112.61 Kbytes Page：6 Pages	60 V, 5.7 m, 98 A, Single N-Channel 文件：112.61 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5862NT4G	文件：1.09097 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) 文件：1.09097 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
NVD5862N_15	文件：79.92 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：79.92 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5862NT4G	文件：79.92 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：79.92 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD5862NT4G	文件：1.08524 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.08524 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
NVD5862N	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，60V，98A，5.7mΩ，单 N 沟道，DPAK 汽车功率 MOSFET。 60V，98A，5.7mΩ，单 N 沟道，DPAK 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，且符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。 • Low on resistance\n• Provides low conduction losses\n• High current capability\n• Provides robust load performance\n• 100% Avalanche energy tested\n• Safeguards against voltage overstress;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
98
PD Max (W)：
115
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
5.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
82
Ciss Typ (pF)：
5050
Package Type：
DPAK-3

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