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NTP125N02R

Power MOSFET 125 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTP125N02R

Power MOSFET 125 A, 24 V N?묬hannel TO??20, D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTP125N02RG

Power MOSFET 125 A, 24 V N?묬hannel TO??20, D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTP125N02RG

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

NTB125N02R

PowerMOSFET125A,24VN?묬hannelTO??20,D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTB125N02R

PowerMOSFET125A,24VN-ChannelTO-220,D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTB125N02R

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=120.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=24V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NTB125N02RG

PowerMOSFET125A,24VN?묬hannelTO??20,D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    NTP125N02R

  • 功能描述:

    MOSFET 24V 125A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTP125N02R供应商 更新时间2025-5-5 14:00:00