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NTP30N06	文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts 文件：72.83 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N06L	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • Pb−Free Packages are Available Typical Applications • Power Supplies • Co 文件：69.83 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N06L	文件：1.31343 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.31343 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTP30N06L	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：90.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N06LG	文件：1.31343 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.31343 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTP30N06LG	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：90.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTP30N06L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. • Power Supplies\n• Converters\n• Power Motor Controls\n• Bridge Circuits\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTP30N06
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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