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NTP30N06LG	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N06LG	文件：1.31343 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTX30N06G	文件：1.32103 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P30N06LE	文件：1.31334 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P30N06TA	文件：1.3133 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFP30N06LE	文件：1.32291 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFP30N06LE	文件：80.85 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,ESDRated,0.047Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP30N06LE	文件：91.17 Kbytes Page：6 Pages	30A,60V,ESDRated,AvalancheRated,LogicLevelN-ChannelEnhancement-ModePowerMOSFETs Description TheRFP30N06LE,RF1S30N06LEandRF1S30N06LESMareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theywere	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
RFP30N06LE	文件：188.99 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,ESDRated,0.047Ohm,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RLD30N06	文件：521.409 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Description TheRLD30N06usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON), lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. Application Lithiumbatteryprotection Wirele	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

详细参数

型号：
NTP30N06LG
功能描述：
MOSFET NFET 60V 30A LL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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