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NTMS4101PR2G	文件：0 bytes Page：0 Pages	VBSEMI SO-8	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司相关企业：深圳市金华微盛电子有限公司	VBSEMI
NTMS4101PR2	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON Semiconductor 8-SOIC(0.154	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司相关企业：深圳市安富世纪电子有限公司	ONSEMI
NTMS4101PR2G	文件：0 bytes Page：0 Pages	VB SO-8	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司相关企业：京海半导体(深圳)有限公司	VBSEMI
NTMS4101PR2G	文件：0 bytes Page：0 Pages	VB SO-8	VBWEABUDongguan VBWEABU Electronic Technology Co. ，Ltd. 唯步电子东莞市唯步电子科技有限公司相关企业：京海半导体(深圳)有限公司	VBWEABU
NTMS4101PR2G	文件：0 bytes Page：0 Pages	VB SO-8	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司相关企业：京海半导体(深圳)有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
NTMS4101PR2
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	NTMS4101PR2	ON Semiconductor	22+	8SOIC	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	NTMS4101PR2	ON Semiconductor	21+	8SOIC	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	NTMS4101PR2	ON Semiconductor	23+	8SOIC	9000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NTMS4101PR2	ON Semiconductor	2022+	8-SOIC(0.154	38550		询价
深圳市跃创芯科技有限公司	NTMS4101PR2	ON/安森美	22+	8-SOICN	25000	只有原装绝对原装,支持BOM配单!	询价
深圳市创新迹电子有限公司	NTMS4101PR2	ON/安森美	22+	8-SOICN	25000	只有原装原装,支持BOM配单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	NTMS4101PR2	ON Semiconductor	23+	8SOIC	8000	只做原装现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NTMS4101PR2G	VBSEMI/台湾微碧	23+	SO-8	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NTMS4101PR2G	VB	21+	SO-8	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多NTMS4101PR2供应商更新时间2025-5-16 15:30:00

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