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NTMS4916NR2G	文件：404.05 Kbytes Page：6 Pages	Marking：4916N；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •Optimizedfor5V,12VGateDrives •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeand areRoHSCompliant (VGS=10V) VDS(V)=3	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
NTMS4916NR2G	文件：119.38 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?묬hannel, SO?? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMS4916NR2G	文件：1.00714 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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NTMS4916NR2G

文件：404.05 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：4916N；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET

Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses •Optimizedfor5V,12VGateDrives •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeand areRoHSCompliant (VGS=10V) VDS(V)=3

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

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Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?묬hannel, SO?? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

详细参数

型号：
NTMS4916NR2G
功能描述：
MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTMS4916NR2G供应商更新时间2025-7-15 18:19:00

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