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NTMS4916NR2G	文件：404.05 Kbytes Page：6 Pages	丝印：4916N；Package：SOP-8；30V N-Channel MOSFET Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (VGS = 10V) VDS (V) =3 文件：404.05 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
NTMS4916NR2G	文件：119.38 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?묬hannel, SO?? Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses 文件：119.38 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMS4916NR2G	文件：1.00714 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00714 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTMS7N03R2G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美
NTNS3A65PZT5G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT883	ON 上传：深圳市兴灿科技有限公司	ON

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更多NTMS4916NR2G供应商更新时间2026-1-31 17:25:00