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NTMS4916NR2G中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTMS4916NR2G

功能描述

30V N-Channel MOSFET

丝印标识

4916N

封装外壳

SOP-8

文件大小

404.05 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

UMW

中文名称

友台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 23:01:00

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NTMS4916NR2G规格书详情

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Capacitance to Minimize Driver Losses

• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

• Optimized for 5 V, 12 V Gate Drives

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and

are RoHS Compliant

(VGS = 10V)





VDS (V) =30V

ID = 11.6 A

 RDS(ON) < 9 mΩ(VGS=10V)

 RDS (O N) < 12 mΩ(VGS=4.5V)

产品属性

  • 型号:

    NTMS4916NR2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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