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NTMS4840NR2G	文件：141.42 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Single N?묬hannel, SOIC?? 文件：141.42 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMS4840NR2G	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Single N−Channel, SOIC−8	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMD4840NR2G	文件：654.07 Kbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFETPower MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Notebook System Power • Low Current DC/DC 文件：654.07 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTMD4840NR2G	文件：1.05169 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.05169 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTMD4840NR2G	文件：141.06 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 30 V, 7.5 A, Dual N?묬hannel, SOIC?? 文件：141.06 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTMS4840NR2G
功能描述：
MOSFET NFET SO8 30V 30A 24MO
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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