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NTMS4176PR2G

Power MOSFET -30 V, -9.6 A, P-Channel, SOIC-8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMS4176PR2G

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTMS4176PR2G

  • 功能描述:

    MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NTMS4176PR2G供应商 更新时间2025-5-5 13:31:00