12 V Telecom Power Conversion Solutions

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 30V 191A Single N-Channel, SO-8FL

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安森美半导体

Power MOSFET 30V 191A Single N-Channel, SO-8FL

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安森美半导体

单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，191A，2mΩ

Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N−Channel, SO−8FL • Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses;

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安森美半导体

功率 MOSFET，单，N 沟道，30 V， 156 A，SO-8FL

单 N 沟道功率 MOSFET，30 V，156 A • Accurate, Lossless Current Sensing\n• Low RDS(on)\n• Low Capacitance\n• Optimized Gate Charge;

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