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NTMFS4833NS中文资料功率 MOSFET,单,N 沟道,30 V, 156 A,SO-8FL数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMFS4833NS

功能描述

功率 MOSFET,单,N 沟道,30 V, 156 A,SO-8FL

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:58:00

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NTMFS4833NS规格书详情

描述 Description

单 N 沟道功率 MOSFET,30 V,156 A

特性 Features

• Accurate, Lossless Current Sensing
• Low RDS(on)
• Low Capacitance
• Optimized Gate Charge

应用 Application

• CPU Power Delivery
• DCDC Converters
• Low Side Switching

技术参数

  • 型号:

    NTMFS4833NS

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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