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NTMFS4833N中文资料单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,191A,2mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMFS4833N

功能描述

单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,191A,2mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:58:00

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NTMFS4833N规格书详情

描述 Description

Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N−Channel, SO−8FL

特性 Features

• Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

应用 Application

• CPU Power Delivery
• DC−DC Converters
• Low Side Switching

技术参数

  • 制造商编号

    :NTMFS4833N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :191

  • PD Max (W)

    :46.3

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :3

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :22

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :88

  • Ciss Typ (pF)

    :5600

  • Package Type

    :SO-8FL/DFN-5

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