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NTMFS4833N中文资料单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，191A，2mΩ数据手册ONSEMI规格书
NTMFS4833N规格书详情
描述 Description
Power MOSFET 30 V, 191 A, Single N−Channel, SO−8FL
特性 Features
• Low rDS(on) to Minimize Conduction Loss
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
应用 Application
• CPU Power Delivery
• DC−DC Converters
• Low Side Switching
技术参数
- 制造商编号
：NTMFS4833N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：2.5
- ID Max (A)
：191
- PD Max (W)
：46.3
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：3
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：22
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：88
- Ciss Typ (pF)
：5600
- Package Type
：SO-8FL/DFN-5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
QFN8 |
6600 |
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ON |
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ON |
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TO-263-3 |
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6000 |
面议 |
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ON |
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