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NTMFS4833NS	文件：149.24 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4833NST1G	文件：149.24 Kbytes Page：7 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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PE4833	文件：214.06 Kbytes Page：3 Pages	D-SubPlugContactSolderAttachmentThruHolePCB,.200inchx.046inchHoleSpacing	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PT4833	文件：764.64 Kbytes Page：32 Pages	35-WTripleOutputIsolatedDC/DCConverterforLogicApplications	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT4833	文件：751.13 Kbytes Page：34 Pages	Over-TemperatureShutdownUnder-VoltageLockout	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT4833A	文件：760.93 Kbytes Page：33 Pages	35-WTripleOutputIsolatedDC/DCConverter	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT4833C	文件：760.93 Kbytes Page：33 Pages	35-WTripleOutputIsolatedDC/DCConverter	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
SI4833ADY	文件：178.45 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4833BDY	文件：206.58 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
NTMFS4833NS
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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