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NTH4L095N065SC1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTH4L095N065SC1

功能描述

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 70 m, 31 A

文件大小

344.09 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 20:00:00

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NTH4L095N065SC1规格书详情

特性 Features

• Typ. RDS(on) = 70 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 95 m @ VGS = 15 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 50 nC)

• Low Output Capacitance (Coss = 89 pF)

• 100% Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant

Typical Applications

• SMPS (Switching Mode Power Supplies)

• Solar Inverters

• UPS (Uninterruptable Power Supplies)

• Energy Storage

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