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NTH4L095N065SC1	文件：344.09 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 70 m, 31 A Features •Typ.RDS(on)=70m@VGS=18V Typ.RDS(on)=95m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=50nC) •LowOutputCapacitance(Coss=89pF) •100%AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisPb−FreeandisRoHSCompliant TypicalApplications •SMPS(SwitchingM	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L095N065SC1

文件：344.09 Kbytes

Page：8 Pages

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 70 m, 31 A

Features •Typ.RDS(on)=70m@VGS=18V Typ.RDS(on)=95m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=50nC) •LowOutputCapacitance(Coss=89pF) •100%AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisPb−FreeandisRoHSCompliant TypicalApplications •SMPS(SwitchingM

ONSEMION Semiconductor

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更多NTH4L095N065SC1供应商更新时间2025-6-18 14:16:00

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