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NTH4L032N065M3S中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTH4L032N065M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32mohm, 650 V, M3S, TO247-4L

文件大小

189.55 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-8 20:00:00

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NTH4L032N065M3S规格书详情

特性 Features

• Typical RDS(ON) = 32 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 55 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 114 pF)

• 100% Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

• SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storage, EV Charging

Infrastructure

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