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NTBG080N120SC1	文件：322.54 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 80 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typic 文件：322.54 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：321.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 80 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typic 文件：321.69 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：387.67 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Low Effective Output Capacitance ·Ultra Low Gate Charge APPLICATIONS ·Main Inverters ·General Purpose Inverters ·DC/DC Converter ·UPS 文件：387.67 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTBG080N120SC1	文件：240.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 1200 V, 80 m, 30 A 文件：240.79 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster op • Low On Resistance\n• RDSson = 80mΩ typ\n• High Junction Temperature\n• Tj = 175C\n• Ultra Low Gate Charge\n• Low Effective Output Capacitance\n• This device is RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG080N120SC1_V01	文件：322.54 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 80 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typic 文件：322.54 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG080N120SC1_V02	文件：321.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 80 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typic 文件：321.69 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Product Preview
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
1200
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.83
ID Max (A)：
56.4
PD Max (W)：
390
Ciss Typ (pF)：
1285
Package Type：
D2PAK7 (TO-263-7L HV)

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深圳市高捷芯城科技有限公司	NTBG080N120SC1	onsemi(安森美)	24+	D2PAK-7L	8357	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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