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NTBG080N120SC1	文件：322.54 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：321.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1	文件：387.67 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·LowEffectiveOutputCapacitance ·UltraLowGateCharge APPLICATIONS ·MainInverters ·GeneralPurposeInverters ·DC/DCConverter ·UPS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTBG080N120SC1	文件：240.79 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 1200 V, 80 m, 30 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1_V01	文件：322.54 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG080N120SC1_V02	文件：321.69 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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