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NTBG080N120SC1
厂商型号

NTBG080N120SC1

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

文件大小

322.54 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 20:00:00

NTBG080N120SC1规格书详情

Features

• Typ. RDS(on) = 80 m

• Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC)

• Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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