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NTBG080N120SC1_V01	文件：322.54 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTHL080N120SC1_V01	文件：365.42 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,80mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) TypicalApplications •U	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG080N120SC1_V01	文件：323.41 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVHL080N120SC1_V01	文件：363.6 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=80pF) •100UILTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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深圳市宇烁芯半导体科技有限公司	NTBG1000N170M1	ON	23+	D2PAK7 (TO-263-7L HV)	100000	全新原装	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	NTBG1000N170M1	onsemi	23+	D2PAK-7L	1356	原厂正品现货SiC MOSFET全系列	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	NTBG1000N170M1	onsemi	2025+	D2PAK-7	55740		询价
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深圳兆威电子有限公司	NTBG160N120SC1	ON	22+	NA	4545	原装正品支持实单	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NTBG160N120SC1	onsemi(安森美)	24+	TO2637	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NTBG160N120SC1	ON(安森美)	24+	NA/	8735	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
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更多NTBG080N120SC1_V01供应商更新时间2024-11-28 16:20:00

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