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NTBG080N120SC1_V02

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=80m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=56nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=79pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection) Typic

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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更多NTBG080N120SC1_V02供应商 更新时间2024-11-28 16:20:00