Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

Features • Typ. RDS(on) = 80 m • Ultra Low Gate Charge (Typ. QG(tot) = 56 nC) • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss = 79 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typic

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ONSEMI

安森美半导体

ON
TO-263-7

ON

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TDK
SMD

TDK

东电化

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Vishay(威世)
插件,P=2.54mm

Vishay(威世)

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VISHAY/威世
DIP

VISHAY/威世

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