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NTBG015N065SC1	文件：303.61 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BG015N065SC1；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (o 文件：303.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG015N065SC1	文件：329.52 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (o 文件：329.52 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG015N065SC1	文件：301.39 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 650 V, 12 m, 145 A 文件：301.39 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG015N065SC1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficie • Low RDSon\n• 15.3mΩ\n• High Junction Temperature\n• Tj = 175C\n• 100% UIL Tested\n• RoHS Compliant\n• High Speed Switching and Low Capacitance\n• 650V rated;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG015N065SC1_V01	文件：303.61 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (o 文件：303.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTBG015N065SC1_V02	文件：329.52 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 12mohm, 650V, M2, D2PAK-7L Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (o 文件：329.52 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
Blocking Voltage BVDSS (V)：
650
ID(max) (A)：
176
RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)：
15.3
Qg Total (C)：
250
Output Capacitance (C)：
397
Tj Max (°C)：
175
Package Type：
D2PAK7 (TO-263-7L HV)

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