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NSVBC857BLT3G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：154.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NSVBC857BLT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
S-LBC857BLT3G	文件：666.6 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：666.6 Kbytes 页数：7 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BC857BLT3	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NSVBC857BLT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3

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