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NSR0170	文件：171.46 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesareoptimizedforverylowforwardvoltage dropandlowleakagecurrentmakingthemidealdevicestobeusedina widerangeofdc−dcconverter,clampingandprotectionapplications. NSR0170inSOD−923andX2DFNW2miniaturepackagesenable designerstomeetthechalleng	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0170	文件：271.87 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesareoptimizedforverylowforwardvoltage dropandlowleakagecurrentmakingthemidealdevicestobeusedina widerangeofdc−dcconverter,clampingandprotectionapplications. NSR0170inSOD−323,SOD−923andX2DFNW2miniature packagesenabledesignerstomeetthe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0170_V01	文件：271.87 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesareoptimizedforverylowforwardvoltage dropandlowleakagecurrentmakingthemidealdevicestobeusedina widerangeofdc−dcconverter,clampingandprotectionapplications. NSR0170inSOD−323,SOD−923andX2DFNW2miniature packagesenabledesignerstomeetthe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0170HT1G	文件：271.87 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesareoptimizedforverylowforwardvoltage dropandlowleakagecurrentmakingthemidealdevicestobeusedina widerangeofdc−dcconverter,clampingandprotectionapplications. NSR0170inSOD−323,SOD−923andX2DFNW2miniature packagesenabledesignerstomeetthe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0170P2T5G	文件：171.46 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesareoptimizedforverylowforwardvoltage dropandlowleakagecurrentmakingthemidealdevicestobeusedina widerangeofdc−dcconverter,clampingandprotectionapplications. NSR0170inSOD−923andX2DFNW2miniaturepackagesenable designerstomeetthechalleng	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0170P2T5G	文件：271.87 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesareoptimizedforverylowforwardvoltage dropandlowleakagecurrentmakingthemidealdevicestobeusedina widerangeofdc−dcconverter,clampingandprotectionapplications. NSR0170inSOD−323,SOD−923andX2DFNW2miniature packagesenabledesignerstomeetthe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR01F30MX	文件：138.65 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrent. Features •VeryLowForwardVoltageDrop−350mV@10mA •LowReverseCurrent−5A@10V •100mAofContinuousForwardCurrent •ESDRating−HumanBodyModel:Class3B ESDRating−Machi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR01F30MX_V01	文件：138.65 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrent. Features •VeryLowForwardVoltageDrop−350mV@10mA •LowReverseCurrent−5A@10V •100mAofContinuousForwardCurrent •ESDRating−HumanBodyModel:Class3B ESDRating−Machi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR01F30MXT5G	文件：138.65 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrent. Features •VeryLowForwardVoltageDrop−350mV@10mA •LowReverseCurrent−5A@10V •100mAofContinuousForwardCurrent •ESDRating−HumanBodyModel:Class3B ESDRating−Machi	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR01L30MX	文件：176.77 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrent. Features •VeryLowForwardVoltageDrop−350mV@1mA •LowReverseCurrent−0.2A@10V •100mAofContinuousForwardCurrent •ESDRating−HumanBodyModel:Class3B ESDRating−Mach	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
30
VF Max (V)：
0.385
IRM Max (µA)：
0.35
IO(rec) Max (A)：
0.1
IFSM Max (A)：
1
Cj Max (pF)：
10
Package Type：
SOD-923-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	NSR	TI/德州仪器	22+	SOT23-6	25000	只做原装,原装,假一罚十	询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司	NSR0320MW2T1G	ON	23+	SOD323	3200		询价
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深圳市恒创达实业有限公司	NSR1020MW2T3G	ON	17+	SOD323	6200	100%原装正品现货	询价
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千层芯半导体(深圳)有限公司	NSR0230M2T5G	NUVOTON	24+	SOD-723	13000	原装柜台现货ON专业经销	询价

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