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NSR01F30MX_V01

Schottky Barrier Diode

TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrent. Features •VeryLowForwardVoltageDrop−350mV@10mA •LowReverseCurrent−5A@10V •100mAofContinuousForwardCurrent •ESDRating−HumanBodyModel:Class3B ESDRating−Machi

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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更多NSR01F30MX_V01供应商 更新时间2025-7-25 22:13:00