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NSR01L30MX_V01	文件：176.77 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrent. Features •VeryLowForwardVoltageDrop−350mV@1mA •LowReverseCurrent−0.2A@10V •100mAofContinuousForwardCurrent •ESDRating−HumanBodyModel:Class3B ESDRating−Mach	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR01L30MXT5G	文件：176.77 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrent. Features •VeryLowForwardVoltageDrop−350mV@1mA •LowReverseCurrent−0.2A@10V •100mAofContinuousForwardCurrent •ESDRating−HumanBodyModel:Class3B ESDRating−Mach	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR01L30NXT5G	文件：168.83 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrent.TheDSN2(DualSilicon No−lead)packageisachiplevelpackageusingsolderablemetal contactsunderthepackagesimilartoDFNstylepackages.TheDSN stylepackageenables100%utilization	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR01L30NXT5G_V01	文件：168.83 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesareoptimizedforlowforward voltagedropandlowleakagecurrent.TheDSN2(DualSilicon No−lead)packageisachiplevelpackageusingsolderablemetal contactsunderthepackagesimilartoDFNstylepackages.TheDSN stylepackageenables100%utilization	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0230M2T5G	文件：1.00174 Mbytes Page：3 Pages	丝印：F；Package：SOD723；Schottky barrier diode Features -Ultrasmallmoldtype. -LowVF -Highreliability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NSR0230P2	文件：248.75 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhigh−speed switchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping. Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniature surfacemountpackageisexcellentforhand−heldandportable applicationswherespaceislimited. Featu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0230P2_V01	文件：248.75 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhigh−speed switchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping. Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniature surfacemountpackageisexcellentforhand−heldandportable applicationswherespaceislimited. Featu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0230P2T5G	文件：248.75 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode TheseSchottkybarrierdiodesaredesignedforhigh−speed switchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping. Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss.Miniature surfacemountpackageisexcellentforhand−heldandportable applicationswherespaceislimited. Featu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0240H	文件：182.54 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesareoptimizedforverylowforwardvoltage dropandlowleakagecurrentandareusedinawiderangeofdc−dc converter,clampingandprotectionapplicationsinportabledevices. NSR0240HinaSOD−323miniaturepackageenablesdesignersto meetthechallengingtaskofa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSR0240H_V01	文件：182.54 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode Schottkybarrierdiodesareoptimizedforverylowforwardvoltage dropandlowleakagecurrentandareusedinawiderangeofdc−dc converter,clampingandprotectionapplicationsinportabledevices. NSR0240HinaSOD−323miniaturepackageenablesdesignersto meetthechallengingtaskofa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
30
VF Max (V)：
0.385
IRM Max (µA)：
0.35
IO(rec) Max (A)：
0.1
IFSM Max (A)：
1
Cj Max (pF)：
10
Package Type：
SOD-923-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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